近年來，隨著光電產業的快速發展，高集成半導體晶圓需求不斷增長、硅、碳化硅、藍寶石、玻璃等材料被廣泛應用于半導體晶圓中。隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向輕薄化，傳統的加工方式不再適用，激光切割逐漸引入半導體晶圓切割中。
半導體器件分類：

激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產生機械應力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦的優點，聚焦點可小到亞微米數量級，從而對晶圓的微處理更具優越性，可以進行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進行材料加工。大多數材料吸收激光直接將材料汽化，打出連續的盲孔，形成溝道。從而實現切割的目的，因為光板較小，最低限度的碳化影響。
切割流程：

半導體晶圓的激光隱形切割技術是一種全新的激光切割工藝，具有切割速度快、切割不產生粉塵、無耗損、所需切割道小、完全干制程等諸多優勢。隱形切割主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質層，然后通過外部施加壓力使芯片分開。
半導體樣品：

晶圓切割是先進技術的代表，標志著一個國家的先進水平，想要不出現被卡脖子的狀況，唯有發展自己的技術，才能跳出這個泥潭。