近年來隨著光電產業的快速發展，高集成度和高性能的半導體晶圓需求不斷增長，硅、碳化硅、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用于半導體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統的很多加工方式已經不再適用，于是在部分工序引入了激光隱形切割技術。

       激光切割技術具有諸多獨特的優勢：

       1、非接觸式加工：激光的加工只有激光光束與加工件發生接觸，沒有刀削力作用于切割件，避免對加工材料表面造成損傷。

       2、加工精度高，熱影響小：脈沖激光可以做到瞬時功率極高、能量密度極高而平均功率很低，可瞬間完成加工且熱影響區域極小，確保高精密加工，小熱影響區域。

       3、加工效率高，經濟效益好：激光加工效率往往是機械加工效果的數倍且沒有耗材無污染。 半導體晶圓的激光隱形切割技術是一種全新的激光切割工藝，具有切割速度快、切割不產生粉塵、無切割基材耗損、所需切割道小、完全干制程等諸多優勢。隱切切割主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質層，然后通過外部施加壓力使芯片分開。

紫外激光切割機目前已廣泛應用于半導體集成電路，包括單雙臺面玻璃鈍化二極管晶圓切割劃片，單雙臺面可控硅晶圓切割劃片，砷化鎵，氮化鎵，IC晶圓切割劃片。

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